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GD150FFX65C6S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 650V, 181A
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150FFX65C6SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5709
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 130.760 |
| 5+ | $ 128.200 |
| 10+ | $ 125.540 |
| 30+ | $ 124.200 |
| 50+ | $ 122.900 |
| 100+ | $ 117.660 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 130.76
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150FFX65C6SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5709
Ficha técnica
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
Continuous Collector Current181A
DC Collector Current181A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation Pd442W
Power Dissipation442W
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
DC Collector Current
181A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
442W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
Trench Field Stop
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Continuous Collector Current
181A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
442W
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
650V
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2020)
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Certificado de conformidade do produto