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IXYN100N65A3
IGBT Module, Single, 170 A, 1.44 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXYN100N65A3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark03AH2083
Gama de produtosXPT GenX3 Series
Seu número de peça
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 33.940 |
| 5+ | $ 29.440 |
| 10+ | $ 24.950 |
| 25+ | $ 22.640 |
| 100+ | $ 20.340 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 33.94
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXYN100N65A3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark03AH2083
Gama de produtosXPT GenX3 Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSingle
DC Collector Current170A
Continuous Collector Current170A
Collector Emitter Saturation Voltage1.44V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.44V
Power Dissipation600W
Power Dissipation Pd600W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyPlanar
Transistor MountingPanel
Product RangeXPT GenX3 Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
170A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.44V
Power Dissipation Pd
600W
Junction Temperature, Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
170A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.44V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
Planar
Product Range
XPT GenX3 Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos