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GD1400HFX170P2S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.7KV, 2.342KA
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD1400HFX170P2SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5707
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 600.250 |
| 6+ | $ 591.340 |
| 10+ | $ 582.690 |
| 26+ | $ 547.730 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 600.25
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD1400HFX170P2SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5707
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current2.342kA
Continuous Collector Current2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation Pd9.37kW
Power Dissipation9.37kW
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Power Dissipation
9.37kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
2.342kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.95V
Power Dissipation Pd
9.37kW
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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