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GD650HFX170P1S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.7KV, 1.073KA
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD650HFX170P1SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5749
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 332.850 |
| 6+ | $ 327.910 |
| 12+ | $ 323.120 |
| 27+ | $ 303.730 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 332.85
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD650HFX170P1SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5749
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current1.073kA
DC Collector Current1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
Power Dissipation4.2kW
Power Dissipation Pd4.2kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.9V
Power Dissipation Pd
4.2kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Power Dissipation
4.2kW
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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