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IPLU300N04S4R8XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPLU300N04S4R8XTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9061RL
Segmento de fita13AC9061
Gama de produtosOptiMOS T2
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.060 | $ 7.06 |
| Total Preço | $ 7.06 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.060 |
| 10+ | $ 4.440 |
| 25+ | $ 4.120 |
| 50+ | $ 3.790 |
| 100+ | $ 3.470 |
| 250+ | $ 3.370 |
| 500+ | $ 3.250 |
| 1000+ | $ 3.040 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPLU300N04S4R8XTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9061RL
Segmento de fita13AC9061
Gama de produtosOptiMOS T2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance770µohm
On Resistance Rds(on)530µohm
Transistor Case StyleH-PSOF-8-1
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd429W
Power Dissipation429W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™-T2 power-transistor
- N-channel enhancement mode
- AEC qualified
- 175°C operating temperature
- Ultra-low Rds(on)
- 100% avalanche tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
770µohm
Transistor Case Style
H-PSOF-8-1
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
429W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
On Resistance Rds(on)
530µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
429W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto