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IRF6623TRPBF
MOSFET, N-CH, 20V, 55A, DIRECTFET ST-7
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.400 | $ 3.40 |
| Total Preço | $ 3.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.400 |
| 10+ | $ 2.100 |
| 25+ | $ 1.910 |
| 50+ | $ 1.720 |
| 100+ | $ 1.540 |
| 250+ | $ 1.400 |
| 500+ | $ 1.270 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRF6623TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91Y4738RL
Segmento de fita91Y4738
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id55A
On Resistance Rds(on)0.0044ohm
Drain Source On State Resistance5700µohm
Transistor Case StyleDirectFET ST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd42W
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0044ohm
Transistor Case Style
DirectFET ST
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
42W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
5700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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