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XP6N090N
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP6N090NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK7008RL
Segmento de fita70AK7008
Gama de produtosXP6N090 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.413 | $ 2.06 |
| Total Preço | $ 2.06 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.413 |
| 10+ | $ 0.319 |
| 25+ | $ 0.220 |
| 50+ | $ 0.184 |
| 100+ | $ 0.155 |
| 250+ | $ 0.126 |
| 500+ | $ 0.107 |
| 1000+ | $ 0.089 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP6N090NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK7008RL
Segmento de fita70AK7008
Gama de produtosXP6N090 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleSOT-23S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP6N090 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-23S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP6N090 Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto