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STT4P3LLH6
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTT4P3LLH6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark45AC7768
Gama de produtosDeepGATE STripFET H6
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.659 |
| 50+ | $ 0.464 |
| 100+ | $ 0.341 |
| 250+ | $ 0.319 |
| 500+ | $ 0.297 |
| 1000+ | $ 0.283 |
| 2500+ | $ 0.263 |
| 5000+ | $ 0.242 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.66
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTT4P3LLH6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark45AC7768
Gama de produtosDeepGATE STripFET H6
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDeepGATE STripFET H6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
DeepGATE STripFET H6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STT4P3LLH6
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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