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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.433 | $ 2.16 |
| Total Preço | $ 2.16 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.433 |
| 10+ | $ 0.265 |
| 25+ | $ 0.232 |
| 50+ | $ 0.200 |
| 100+ | $ 0.167 |
| 250+ | $ 0.146 |
| 500+ | $ 0.125 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.110 |
| 5000+ | $ 0.097 |
| 10000+ | $ 0.080 |
| 20000+ | $ 0.069 |
| 30000+ | $ 0.064 |
| 50000+ | $ 0.056 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1013CX-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo99W9588
Rodo à Medida57AJ0419RL
Segmento de fita57AJ0419
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id450mA
On Resistance Rds(on)0.63ohm
Drain Source On State Resistance0.63ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation190mW
Power Dissipation Pd190mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.63ohm
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
190mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
450mA
Drain Source On State Resistance
0.63ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
190mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI1013CX-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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