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ZXMP6A16KTC
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8.2 A, 85 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMP6A16KTCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62M1308RL
Segmento de fita62M1308
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.560 | $ 1.56 |
| Total Preço | $ 1.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.560 |
| 10+ | $ 1.030 |
| 25+ | $ 0.925 |
| 50+ | $ 0.823 |
| 100+ | $ 0.721 |
| 250+ | $ 0.655 |
| 500+ | $ 0.589 |
| 1000+ | $ 0.547 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMP6A16KTCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62M1308RL
Segmento de fita62M1308
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.2A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Drain Source On State Resistance85mohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd9.76W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation9.76W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXMP6A16KTC is a P-channel enhancement-mode new generation Trench MOSFET from Zetex utilizes an unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. Making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low gate drive
- Low threshold
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
9.76W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.2A
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
9.76W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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