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STD12NF06L-1
MOSFET, N-CH, 60V, 12A, TO-252-3
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD12NF06L-1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark98Y2469
Gama de produtosStripFET II
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.120 |
| 10+ | $ 0.718 |
| 15+ | $ 0.662 |
| 25+ | $ 0.606 |
| 50+ | $ 0.550 |
| 125+ | $ 0.494 |
| 250+ | $ 0.448 |
| 500+ | $ 0.402 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD12NF06L-1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark98Y2469
Gama de produtosStripFET II
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation42.8W
Power Dissipation Pd42.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStripFET II
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42.8W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StripFET II
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
42.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD12NF06L-1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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