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IPD70R900P7SAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD70R900P7SAUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC3273RL
Segmento de fita43AC3273
Gama de produtosCoolMOS P7
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.120 | $ 1.12 |
| Total Preço | $ 1.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.120 |
| 10+ | $ 0.671 |
| 25+ | $ 0.616 |
| 50+ | $ 0.562 |
| 100+ | $ 0.507 |
| 250+ | $ 0.459 |
| 500+ | $ 0.410 |
| 1000+ | $ 0.378 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD70R900P7SAUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC3273RL
Segmento de fita43AC3273
Gama de produtosCoolMOS P7
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
On Resistance Rds(on)0.74ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30.5W
Power Dissipation Pd30.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
700V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and recommended for Flyback topologies for example used in chargers, adapters, lighting applications, etc.
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Rds(on)*Eoss
- Excellent thermal behaviour
- Integrated ESD protection diode
- Low switching losses (Eoss)
- Qualified for standard grade applications
- Cost competitive technology
- Lower temperature
- High ESD ruggedness
- Enables efficiency gains at higher switching frequencies
- Enables high power density designs and small form factors
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.74ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
30.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto