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IRLML2060TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2060TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65R4984RL
Segmento de fita65R4984
Também conhecido porSP001578644
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.539 | $ 0.54 |
| Total Preço | $ 0.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.539 |
| 10+ | $ 0.344 |
| 25+ | $ 0.304 |
| 50+ | $ 0.266 |
| 100+ | $ 0.226 |
| 250+ | $ 0.201 |
| 500+ | $ 0.174 |
| 1000+ | $ 0.158 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2060TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65R4984RL
Segmento de fita65R4984
Também conhecido porSP001578644
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.2A
On Resistance Rds(on)0.356ohm
Drain Source On State Resistance0.48ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML2060TRPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with lower switch losses and increased reliability. Compatible with existing surface mount techniques.
- Industry-standard pinout
- MSL1, Consumer qualification
- Environment-friendly
- Increased reliability
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.356ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
3.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Drain Source On State Resistance
0.48ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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