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FQD3P50TM
Power MOSFET, P Channel, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.400 |
| 10+ | $ 1.610 |
| 100+ | $ 1.160 |
| 500+ | $ 0.965 |
| 1000+ | $ 0.903 |
| 2500+ | $ 0.885 |
| 10000+ | $ 0.867 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD3P50TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark84Y9966
Gama de produtosQFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.1A
On Resistance Rds(on)3.9ohm
Drain Source On State Resistance3.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max-5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
3.9ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
-10V
Gate Source Threshold Voltage Max
-5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Drain Source On State Resistance
3.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQD3P50TM
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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