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FDMA430NZ
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA430NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo79R1468
Segmento de fita86K1356
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.373 | $ 1,119.00 |
| Total Preço | $ 1,119.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.373 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.239 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMA430NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo79R1468
Segmento de fita86K1356
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.0236ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd900mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleµFET
Gate Source Threshold Voltage Max810mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Descrição geral do produto
The FDMA430NZ is a single N-channel MOSFET produced advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) at VGS=2.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for use in Li-ion battery pack.
- Halogen-free
- 2.5kV typical HBM ESD protection level
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
810mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
0.0236ohm
Power Dissipation Pd
900mW
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidade do produto