Imprimir página
SIR188LDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 93.6A, POWERPAK SO
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR188LDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AJ4915RL
Segmento de fita62AJ4915
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
3,337 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.720 | $ 2.72 |
| Total Preço | $ 2.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.720 |
| 10+ | $ 1.810 |
| 25+ | $ 1.650 |
| 50+ | $ 1.490 |
| 100+ | $ 1.330 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.110 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR188LDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AJ4915RL
Segmento de fita62AJ4915
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id93.6A
On Resistance Rds(on)0.0031ohm
Drain Source On State Resistance3750µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd65.7W
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0031ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
65.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
93.6A
Drain Source On State Resistance
3750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto