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SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 92.5A, 150DEG C
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS22LDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark42AH1977
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.760 |
| 10+ | $ 1.850 |
| 25+ | $ 1.680 |
| 50+ | $ 1.500 |
| 100+ | $ 1.330 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.100 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.76
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS22LDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark42AH1977
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id92.5A
On Resistance Rds(on)0.00291ohm
Drain Source On State Resistance3650µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.00291ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
92.5A
Drain Source On State Resistance
3650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65.7W
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto