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ISP20EP10LMXTSA1
MOSFET, P-CH, 100V, SOT-223-4
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISP20EP10LMXTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida90AJ6126RL
Segmento de fita90AJ6126
Gama de produtosOptiMOS Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.637 | $ 3.18 |
| Total Preço | $ 3.18 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.637 |
| 15+ | $ 0.391 |
| 25+ | $ 0.383 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISP20EP10LMXTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida90AJ6126RL
Segmento de fita90AJ6126
Gama de produtosOptiMOS Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id990mA
On Resistance Rds(on)1.775ohm
Drain Source On State Resistance1.7754ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd4.2W
Power Dissipation4.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
1.775ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
4.2W
No. of Pins
4Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
990mA
Drain Source On State Resistance
1.7754ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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