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SSM3J358R,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J358R,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark01AM0610
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.403 |
| 10+ | $ 0.309 |
| 25+ | $ 0.258 |
| 50+ | $ 0.215 |
| 100+ | $ 0.181 |
| 250+ | $ 0.155 |
| 500+ | $ 0.126 |
| 1000+ | $ 0.107 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.40
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J358R,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark01AM0610
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.0221ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0221ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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