Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD8444Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1344
Rodo à Medida85W3139
Segmento de fita85W3139
Seu número de peça
29,125 Em Estoque
29,125 disponível em Segmento de fita
29,125 disponível em Rolo completo
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 2500 | $ 1.050 | $ 2,625.00 |
| Total Preço | $ 2,625.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 1.050 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.924 |
| 3000+ | $ 0.881 |
| 6000+ | $ 0.847 |
| 12000+ | $ 0.783 |
| 18000+ | $ 0.761 |
| 30000+ | $ 0.740 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD8444Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1344
Rodo à Medida85W3139
Segmento de fita85W3139
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id145A
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Drain Source On State Resistance0.004ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd153W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation153W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FDD8444 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for electronic transmission, distributed power architecture and VRMs applications.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
- Qualified to AEC-Q101
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
153W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
145A
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
153W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
