Imprimir página
MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VS25NR1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo05W8101
Rodo à Medida28W3507
Segmento de fita28W3507
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 500 | $ 49.220 | $ 24,610.00 |
| Total Preço | $ 24,610.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 49.220 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 35.090 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VS25NR1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo05W8101
Rodo à Medida28W3507
Segmento de fita28W3507
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation25W
Operating Frequency Min1.8MHz
Power Dissipation Pd25W
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleTO-270
No. of Pins2Pins
RF Transistor CaseTO-270
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using Freescale's enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Aplicações
Industrial, Avionics, Power Management
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
25W
Power Dissipation Pd
25W
Transistor Case Style
TO-270
RF Transistor Case
TO-270
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
2Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto