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MRFE6VP100HR5
RF FET Transistor, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VP100HR5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo05W8099
Rodo à Medida28W3506
Segmento de fita28W3506
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 50 | $ 239.010 | $ 11,950.50 |
| Total Preço | $ 11,950.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 239.010 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 178.960 |
| 500+ | $ 173.240 |
| 1000+ | $ 170.370 |
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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VP100HR5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo05W8099
Rodo à Medida28W3506
Segmento de fita28W3506
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds133VDC
Power Dissipation100W
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation Pd100W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleNI-780
RF Transistor CaseNI-780
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
MRFE6VP100HR5 is a RF power LDMOS transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using NXP enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- Wide operating frequency range
- Extremely rugged
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance and integrated ESD protection circuitry
- 400nAdc max gate source leakage current (VGS = 5Vdc, VDS = 0Vdc)
- 133VDC min drain source breakdown voltage (VGS = 0Vdc, ID = 50mA)
- 10μAdc max zero gate voltage drain leakage current (VDS = 100Vdc, VGS = 0Vdc)
- 27dB max power gain, 70% typ drain efficiency
- NI-780 transistor case style and 225°C max operating temperature
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-780
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Power Dissipation
100W
Power Dissipation Pd
100W
Operating Frequency Max
2GHz
RF Transistor Case
NI-780
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade do produto