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MRF6V10010NR4
RF FET Transistor, 100 V, 960 MHz, 1.4 GHz, PLD-1.5
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FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRF6V10010NR4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark09P4207
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 101 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 100+ | $ 130.740 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 100
Vários: 100
$ 13,074.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRF6V10010NR4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark09P4207
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Operating Frequency Min960MHz
Operating Frequency Max1.4GHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins4Pins
RF Transistor CasePLD-1.5
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
-
Operating Frequency Min
960MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5
RF Transistor Case
PLD-1.5
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Power Dissipation Pd
-
Operating Frequency Max
1.4GHz
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (4)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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