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VS-FC420SA10
MOSFET MODULE, N-CH, 100V, 435A, 652W
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-FC420SA10Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark80AH2791
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 26.450 |
| 5+ | $ 22.810 |
| 10+ | $ 19.160 |
| 25+ | $ 18.450 |
| 50+ | $ 17.750 |
| 100+ | $ 17.040 |
| 250+ | $ 16.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 26.45
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-FC420SA10Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark80AH2791
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds100V
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Drain Source On State Resistance2150µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd652W
Power Dissipation652W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID > 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
435A
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
652W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2150µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
652W
Product Range
TrenchFET Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto