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IXFN200N10P
MOSFET TRAN, N CHANNEL, 200A, 100V
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN200N10PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark58M7621
Gama de produtosPolar(TM) HiPerFET
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 33.250 |
| 5+ | $ 28.880 |
| 10+ | $ 24.500 |
| 25+ | $ 23.740 |
| 50+ | $ 22.980 |
| 100+ | $ 22.220 |
| 250+ | $ 21.460 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 33.25
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN200N10PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark58M7621
Gama de produtosPolar(TM) HiPerFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance7500µohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor Case StyleISOTOP
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Power Dissipation Pd680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangePolar(TM) HiPerFET
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Aplicações
Power Management, Lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
680W
No. of Pins
4Pins
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
680W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
