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IXFN150N65X2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 145 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN150N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark03AH0720
Gama de produtosHiPerFET X2 Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 36 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 300+ | $ 43.240 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 300
Vários: 300
$ 12,972.00
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN150N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark03AH0720
Gama de produtosHiPerFET X2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id145A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.017ohm
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
Power Dissipation Pd1.04kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET X2 Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
145A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.04kW
Product Range
HiPerFET X2 Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
