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IXFN120N65X2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 108 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN120N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark03AH0714
Gama de produtosHiPerFET X2 Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 29 Semana(s)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 52.720 |
| 5+ | $ 46.300 |
| 10+ | $ 39.880 |
| 25+ | $ 38.320 |
| 50+ | $ 36.750 |
| 100+ | $ 35.190 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 52.72
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN120N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark03AH0714
Gama de produtosHiPerFET X2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd890W
Power Dissipation890W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET X2 Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
890W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
890W
Product Range
HiPerFET X2 Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos