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FDMQ8403
Dual MOSFET, Quad N Channel, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMQ8403Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo94T9975
Rodo à Medida07AH3924RL
Segmento de fita07AH3924
Gama de produtosPowerTrench GreenBridge Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.770 | $ 4.77 |
| Total Preço | $ 4.77 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.770 |
| 50+ | $ 3.160 |
| 100+ | $ 2.240 |
| 250+ | $ 2.090 |
| 500+ | $ 1.940 |
| 1000+ | $ 1.900 |
| 2500+ | $ 1.860 |
| 5000+ | $ 1.820 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 2.040 |
| 6000+ | $ 1.940 |
| 12000+ | $ 1.750 |
| 18000+ | $ 1.680 |
| 30000+ | $ 1.620 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMQ8403Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo94T9975
Rodo à Medida07AH3924RL
Segmento de fita07AH3924
Gama de produtosPowerTrench GreenBridge Series
Ficha técnica
Channel TypeQuad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench GreenBridge Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench GreenBridge Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMQ8403
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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