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NVMFD5C470NLWFET1G
MOSFET, N-CHANNEL, 36A, DFN-8
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFD5C470NLWFET1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante100 semanas
Código Newark11AN7186
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 100 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.540 |
| 50+ | $ 0.969 |
| 100+ | $ 0.644 |
| 250+ | $ 0.575 |
| 500+ | $ 0.505 |
| 1000+ | $ 0.495 |
| 2500+ | $ 0.485 |
| 5000+ | $ 0.475 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.54
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFD5C470NLWFET1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante100 semanas
Código Newark11AN7186
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel36A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0115ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel28W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
36A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0115ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
28W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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