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DMHT10H032LFJ-13
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMHT10H032LFJ-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AJ7100RL
Segmento de fita12AJ7100
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.920 | $ 3.92 |
| Total Preço | $ 3.92 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.920 |
| 50+ | $ 2.460 |
| 100+ | $ 1.920 |
| 250+ | $ 1.790 |
| 500+ | $ 1.650 |
| 1000+ | $ 0.943 |
| 2500+ | $ 0.853 |
| 5000+ | $ 0.763 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMHT10H032LFJ-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AJ7100RL
Segmento de fita12AJ7100
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Power Dissipation900mW
Transistor Case StyleDFN5045
No. of Pins12Pins
Power Dissipation Pd900mW
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Rds(on) Test Voltage
10V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Power Dissipation
900mW
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
DFN5045
Power Dissipation Pd
900mW
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto