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SI7997DP-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7997DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3932
Rodo à Medida69W7240RL
Segmento de fita69W7240
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,780 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.880 | $ 3.88 |
| Total Preço | $ 3.88 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.880 |
| 50+ | $ 2.690 |
| 100+ | $ 2.020 |
| 250+ | $ 1.920 |
| 500+ | $ 1.810 |
| 1000+ | $ 1.730 |
| 2500+ | $ 1.700 |
| 5000+ | $ 1.660 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.400 |
| 4000+ | $ 1.260 |
| 6000+ | $ 1.210 |
| 10000+ | $ 1.170 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7997DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3932
Rodo à Medida69W7240RL
Segmento de fita69W7240
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0045ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0045ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7997DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto