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SI1869DH-T1-E3
MOSFET, N & P-CH, 20V, 1.2A, SC-70-6
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1869DH-T1-E3Cópia
Código Newark
Rodo à Medida54AH6882RL
Segmento de fita54AH6882
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1869DH-T1-E3Cópia
Código Newark
Rodo à Medida54AH6882RL
Segmento de fita54AH6882
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.2A
Continuous Drain Current Id P Channel1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.132ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.132ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.132ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.132ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
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