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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMS7620SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8342
Rodo à Medida58T5428
Segmento de fita58T5428
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.600 | $ 1,800.00 |
| Total Preço | $ 1,800.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.600 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.706 |
| 6000+ | $ 0.642 |
| 12000+ | $ 0.578 |
| 18000+ | $ 0.557 |
| 30000+ | $ 0.544 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMS7620SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8342
Rodo à Medida58T5428
Segmento de fita58T5428
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel13A
Continuous Drain Current Id P Channel13A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0152ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0152ohm
Transistor Case StylePower 56
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.2W
Power Dissipation P Channel2.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDMS7620S is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed to provide an optimal synchronous buck power stage in terms of efficiency and PCB utilization. The low switching loss high side MOSFET is complementary by a low conduction loss low side SyncFET. The device is suitable for use with general purpose point of load and notebook system power applications.
- Pin out optimized for simple PCB design
- Thermally efficient dual Power 56 package
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
13A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0152ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
13A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0152ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation N Channel
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
