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TQM150NB04DCR RLG
MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 39A, PDFN56U ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM150NB04DCR RLG
Código Newark59AJ2290
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.090 |
| 10+ | $ 1.330 |
| 25+ | $ 1.180 |
| 50+ | $ 1.040 |
| 100+ | $ 0.895 |
| 250+ | $ 0.802 |
| 500+ | $ 0.710 |
| 1000+ | $ 0.649 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.09
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Informação do produto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM150NB04DCR RLG
Código Newark59AJ2290
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id39A
Continuous Drain Current Id N Channel39A
Continuous Drain Current Id P Channel39A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0103ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0103ohm
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
39A
Continuous Drain Current Id P Channel
39A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0103ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0103ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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