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DMG6602SVT
MOSFET, NP CH, 30V, 3.4, ATSOT23
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG6602SVTCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark65T8213
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.332 |
| 10+ | $ 0.261 |
| 100+ | $ 0.154 |
| 500+ | $ 0.127 |
| 1000+ | $ 0.114 |
| 2500+ | $ 0.103 |
| 10000+ | $ 0.096 |
| 25000+ | $ 0.095 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 1.66
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG6602SVTCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark65T8213
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.06ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.095ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel840mW
Power Dissipation P Channel840mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The DMG6602SVT from Diode Inc is a surface mount complementary pair enhancement mode MOSFET in TSOT-26 package. This MOSFET features low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage, designed to minimize the onstate resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and backlighting.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- UL recognized
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage (Vgs) of ±20V
- Continuous drain current of 3.4A
- Power dissipation (Pd) of 1.27W
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 38mohm at Vgs of 10V
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
3.4A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.095ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
840mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.06ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
840mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto