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BIDW50N65T
TRANSISTOR, IGBT, 650V/100A/416W/TO-247 ROHS COMPLIANT: YES
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.650 |
| 10+ | $ 7.630 |
| 25+ | $ 7.240 |
| 50+ | $ 7.010 |
| 100+ | $ 6.780 |
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Informação do produto
FabricanteBOURNS
Nº da peça do fabricanteBIDW50N65T
Código Newark51AK0366
Ficha técnica
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation416W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
416W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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