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HMC435AMS8GETR
RF Switch, Non-Reflective, SPDT, 4 GHz, -40 to 85 °C, MSOP-EP-8
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FabricanteANALOG DEVICES
Nº da peça do fabricanteHMC435AMS8GETRCópia
Código Newark60AK8266RL
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10+ | $ 4.180 |
| 25+ | $ 3.860 |
| 50+ | $ 3.690 |
| 100+ | $ 3.500 |
| 250+ | $ 3.460 |
| 500+ | $ 3.220 |
| 1000+ | $ 3.100 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 1
$ 41.80
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Informação do produto
FabricanteANALOG DEVICES
Nº da peça do fabricanteHMC435AMS8GETRCópia
Código Newark60AK8266RL
Ficha técnica
Descrição geral do produto
HMC435AMS8GE is a non-reflective DC to 4GHz GaAs MESFET SPDT switch. This switch is ideal for cellular/3G and WiMAX/4G applications yielding upto 60dB isolation, low 0.8dB insertion loss and +50dBm input IP3. Power handling is excellent up through the 3.8GHz WiMAX band with the switch offering a P1dB compression of +30dBm. On-chip circuitry allows positive voltage control of 0V/+5Volts at very low DC currents. It is widely used in applications such as base stations & repeaters, infrastructure and access points, CATV/CMTS, test instrumentation etc.
- Insertion loss is 0.8dB typical at (DC - 2.5GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
- Isolation (RFC to RF1/RF2) is 62dB typical at (DC - 1GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
- Input power for 1dB compression is 30dBm typical at (0.5GHz to 4GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
- Input third order intercept is 54dBm typical at (0.5GHz to 1GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
- Switching speed is 40ns typical at (DC - 4GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
- Operating temperature is -40°C to +85°C
- Package style is ultra small MSOP-86
Notas
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Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto