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SFH 4171B-CB2DB1
Infrared Emitter, 860 nm, 35 °, SMD, 630 mW/Sr
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FabricanteAMS OSRAM GROUP
Nº da peça do fabricanteSFH 4171B-CB2DB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida25AM4013RL
Segmento de fita25AM4013
Gama de produtosSFH 4171B Series
Também conhecido porQ65113A4985
Seu número de peça
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.380 | $ 11.90 |
| Total Preço | $ 11.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.380 |
| 10+ | $ 1.710 |
| 25+ | $ 1.580 |
| 50+ | $ 1.440 |
| 100+ | $ 1.310 |
| 250+ | $ 1.230 |
| 500+ | $ 1.130 |
| 1000+ | $ 1.080 |
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Informação do produto
FabricanteAMS OSRAM GROUP
Nº da peça do fabricanteSFH 4171B-CB2DB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida25AM4013RL
Segmento de fita25AM4013
Gama de produtosSFH 4171B Series
Também conhecido porQ65113A4985
Ficha técnica
Peak Wavelength860nm
Angle of Half Intensity35°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)630mW/Sr
Rise Time-
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)1A
Forward Voltage VF Max1.95V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Automotive Qualification Standard-
Product RangeSFH 4171B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
SFH 4171B-CB2DB1 is an OSLON® P1616 lens. This high power infrared emitter is suitable for access control & security, authentication, eye, face and hand tracking, factory automation, home & building automation, medical lighting applications.
- ESD: 2kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM)
- IR lightsource with high efficiency and clear silicone package
- 1000mA forward current at TA = 25°C
- 5V max reverse voltage
- Operating temperature range from -40°C to 105°C
- 860nm typ peak wavelength at IF = 1000mA; tp = 10ms; TA = 25°C
- 850nm typ centroid wavelength at IF = 1000mA; tp = 10ms; TA = 25°C
- 33nm typ spectral bandwidth at 50% Irel,max (FWHM)
- 35° half angle, 1.95V max forward voltage, 940mW total radiant flux (F = 1A, tp = 100µs)
- 630mW/sr radiant intensity at IF = 1A; tp = 10ms
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
860nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
-
Forward Current If(AV)
1A
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Angle of Half Intensity
35°
Radiant Intensity (Ie)
630mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.95V
Operating Temperature Max
105°C
Product Range
SFH 4171B Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto