MOSFETs Dobles | Newark Electrónica

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

No. De parte del fabricante	Código de Orden	Fabricante / Descripción	Precio para	Precio	Tipo de Canal	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P	Corriente de Drenaje Continua Id Canal N	Corriente de Drenaje Continua Id Canal P	Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente	Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente	Diseño de Transistor	No. de Pines	Disipación de Potencia de Canal N	Disipación de Potencia de Canal P	Temperatura de Trabajo Máx.	Rango de Producto

SI3932DV-T1-GE3	01AC4992 Data Sheet RoHS	VISHAY MOSFET Dual Canal N 30 V 30 V 3.7 A 3.7 A 0.047 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.867 50+$0.398 100+$0.352 250+$0.312 500+$0.271 Más precios…	N Channel	30	30V	3.7A	30	3.7	3.7	0.047	0.047	TSOP	6Pines	1.4	1.4	150	TrenchFET Series
FDS89141	88T3365 Data Sheet RoHS	ONSEMI MOSFET Dual Canal N 100 V 100 V 3.5 A 3.5 A 0.047 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	5+$4.670 10+$3.230 15+$3.020 25+$2.820 50+$2.610 Más precios…	N Channel	100	100V	3.5A	100	3.5	3.5	0.047	0.047	SOIC	8Pines	31	31	150	-
SI3932DV-T1-GE3	86R3877 Data Sheet RoHS	VISHAY MOSFET Dual Canal N 30 V 30 V 3.7 A 3.7 A 0.047 ohm	Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.248 6000+$0.239 9000+$0.219 15000+$0.215 30000+$0.210 Más precios…	Canal N	30	30V	3.7A	30	3.7	3.7	0.047	0.047	TSOP	6Pines	1.4	1.4	150	TrenchFET Series
SI4532CDY-T1-GE3	05W6945 Data Sheet RoHS	VISHAY MOSFET Dual Canal complementario N y P 30 V 30 V 6 A 6 A 0.047 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	2500+$0.380 5000+$0.372 7500+$0.365 12500+$0.357 25000+$0.350 Más precios…	Canal complementario N y P	30	-	-	30	6	6	0.047	0.089	SOIC	8Pines	2.78	2.78	150	-