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SI4532CDY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.047 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4532CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15R5049
Re-reeling (Rollos a medida)05W6945RL
Cinta adhesiva05W6945
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 36 semanas
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $0.380 | $950.00 |
| Total Precio | $950.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.380 |
| 5000+ | $0.372 |
| 7500+ | $0.365 |
| 12500+ | $0.357 |
| 25000+ | $0.350 |
| 62500+ | $0.342 |
| 125000+ | $0.334 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.300 |
| 5000+ | $0.294 |
| 7500+ | $0.271 |
| 12500+ | $0.253 |
| 25000+ | $0.236 |
| 62500+ | $0.226 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4532CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15R5049
Re-reeling (Rollos a medida)05W6945RL
Cinta adhesiva05W6945
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.089
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.78
Disipación de Potencia de Canal P2.78
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El SI4532CDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal y N de 30V. Adecuado para convertidores CD a CD y aplicaciones de interruptores de carga. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
- Probado UIS 100%
Aplicaciones
Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.089
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.78
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.78
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4532CDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto