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FDS89141
MOSFET Dual, Canal N, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89141Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4977
Re-reeling (Rollos a medida)88T3365RL
Cinta adhesiva88T3365
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $4.670 | $23.35 |
| Total Precio | $23.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $4.670 |
| 10+ | $3.230 |
| 15+ | $3.020 |
| 25+ | $2.820 |
| 50+ | $2.610 |
| 125+ | $2.420 |
| 250+ | $2.370 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $2.040 |
| 5000+ | $1.940 |
| 7500+ | $1.860 |
| 12500+ | $1.730 |
| 25000+ | $1.670 |
| 62500+ | $1.630 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89141Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4977
Re-reeling (Rollos a medida)88T3365RL
Cinta adhesiva88T3365
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.047ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N31W
Disipación de Potencia de Canal P31W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS89141 es un MOSFET de puerta blindada de doble canal N producido mediante el proceso PowerTrench® avanzado que incorpora tecnología de puerta blindada. Este proceso se ha optimizado para RDS (ON), rendimiento de conmutación y robustez. El dispositivo es adecuado para su uso con rectificador síncrono e interruptor primario para aplicaciones de topología de puente.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 3.5A
- Corriente de drenaje pulsada 18A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.047ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
31W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
31W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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