Imprimir página
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3932DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark86R3877
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.248 |
| 6000+ | $0.239 |
| 9000+ | $0.219 |
| 15000+ | $0.215 |
| 30000+ | $0.210 |
| 75000+ | $0.206 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$744.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3932DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark86R3877
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id3.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.047
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Dual N-channel 30V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- Used in load switch for portable applications, DC/DC converters
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.047
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3932DV-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto