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SUP85N10-10-E3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 38 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 2.010 |
| 1000+ | $ 1.990 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 500
Vários: 500
$ 1,005.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSUP85N10-10-E3
Código Newark06J8578
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd250W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTO-220AB
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The SUP85N10-10-E3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Power Dissipation Pd
250W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto