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SQS420EN-T1_GE3
AEQC101 QUALIFIED N-CHANNEL 20-V D-S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS420EN-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1596
Rodo à Medida11AN9575
Segmento de fita11AN9575
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
1,990 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.420 | $ 1.42 |
| Total Preço | $ 1.42 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.420 |
| 10+ | $ 1.350 |
| 25+ | $ 1.240 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.685 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS420EN-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1596
Rodo à Medida11AN9575
Segmento de fita11AN9575
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation18W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
18W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SQS420EN-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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