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SQM100P10-19L_GE3
MOSFET, P-CH, 100V, 93A, 175DEG C, 375W
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.080 | $ 5.08 |
| Total Preço | $ 5.08 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.080 |
| 10+ | $ 4.800 |
| 25+ | $ 4.560 |
| 50+ | $ 4.240 |
| 100+ | $ 3.900 |
| 250+ | $ 3.470 |
| 500+ | $ 2.900 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQM100P10-19L_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida75AH9226RL
Segmento de fita75AH9226
Gama de produtosTrenchFET
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id93A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.0155ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
93A
On Resistance Rds(on)
0.0155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SQM100P10-19L_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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