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SQJQ161EL-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 60V, 222A, POWERPAK
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJQ161EL-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM4728RL
Segmento de fita51AM4728
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.120 | $ 6.12 |
| Total Preço | $ 6.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.120 |
| 10+ | $ 5.800 |
| 25+ | $ 5.500 |
| 50+ | $ 5.110 |
| 100+ | $ 4.700 |
| 250+ | $ 4.180 |
| 500+ | $ 3.410 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJQ161EL-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM4728RL
Segmento de fita51AM4728
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id222A
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation348W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
222A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
348W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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