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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.120 | $ 2.12 |
| Total Preço | $ 2.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.120 |
| 25+ | $ 1.340 |
| 50+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 0.902 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.728 |
| 4000+ | $ 0.671 |
| 6000+ | $ 0.653 |
| 10000+ | $ 0.643 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ479EP-T1_GE3
Código Newark
Rolo completo20AC4036
Rodo à Medida75AH9222
Segmento de fita75AH9222
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
On Resistance Rds(on)0.0275ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation68W
Power Dissipation Pd68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SQJ479EP-T1_GE3
2 produtos encontrados
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
32A
On Resistance Rds(on)
0.0275ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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