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SQJ140ELP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 266A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ140ELP-T1_GE3
Código Newark90AJ6755
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.240 |
| 10+ | $ 1.500 |
| 25+ | $ 1.360 |
| 50+ | $ 1.210 |
| 100+ | $ 1.070 |
| 250+ | $ 0.979 |
| 500+ | $ 0.887 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.24
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ140ELP-T1_GE3
Código Newark90AJ6755
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id266A
Drain Source On State Resistance2140µohm
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation263W
Power Dissipation Pd263W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2140µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
263W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
266A
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
263W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Rastreabilidade de produtos