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SQD70140EL_GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 30A, TO-252
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.370 | $ 11.85 |
| Total Preço | $ 11.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.370 |
| 10+ | $ 2.260 |
| 25+ | $ 2.070 |
| 50+ | $ 1.890 |
| 100+ | $ 1.740 |
| 250+ | $ 1.500 |
| 500+ | $ 1.360 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQD70140EL_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0696RL
Segmento de fita57AJ0696
Gama de produtosTrenchFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation71W
Power Dissipation Pd71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para SQD70140EL_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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