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SQ4284EY-T1_GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOIC
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4284EY-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1624
Rodo à Medida57AJ0730RL
Segmento de fita57AJ0730
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
3,035 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.460 | $ 2.46 |
| Total Preço | $ 2.46 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.460 |
| 50+ | $ 1.580 |
| 100+ | $ 1.080 |
| 250+ | $ 1.050 |
| 500+ | $ 1.020 |
| 1000+ | $ 0.984 |
| 2500+ | $ 0.952 |
| 5000+ | $ 0.920 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.070 |
| 4000+ | $ 0.988 |
| 6000+ | $ 0.961 |
| 10000+ | $ 0.946 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4284EY-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1624
Rodo à Medida57AJ0730RL
Segmento de fita57AJ0730
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0112ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0112ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.9W
Power Dissipation P Channel3.9W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0112ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.9W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0112ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQ4284EY-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto